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        化学机械平面化(CMP)是用于制造半导体工业晶圆的抛光工艺。由于运输/处理问题,干燥以及浆料分配系统内的相互作用,工具中的浆料被输送到晶圆表面可能含有大颗粒/附聚物(>1μ)。这些大颗粒可以在半导体晶片表面上形成缺陷(划痕)。

        降低由颗粒引起缺陷的解决方案之一是使用浆液过滤。目前有两种浆料过滤的优选方法:1)循环或再循环过滤和2)使用(POU)过滤。循环或再循环过滤试图从浆液中除去大颗粒,因为浆液通过将浆液输送到工具的分配回路循环。对于这些应用,通常使用0.5至5微米的过滤器,建议1至3 GPM的流量。

        POU过滤在浆料分配到抛光垫上的点处或附近捕获大的颗粒。POU应用的流速不应超过0.5至2.5 GPM。由于能够在低流速下使用亚微米过滤器,因此POU过滤优于环路过滤,这往往会减少过早堵塞过滤器的发生并允许<1.0μm颗粒的潜在过滤。POU浆料过滤已被证明有利于减少CMP工艺中的晶圆缺陷并提高产量。

        传统上,POU过滤和循环过滤都使用了非折叠滤芯。这些圆柱形深层滤芯可能会在效率,污物容量(使用寿命),流速和压降方面出现局限性。相反,单层褶皱过滤器提供更好的性能,但是滤芯使用寿命比较短。

        XZC建议将XL 系列过滤器作为一定牛彩票注册的最佳选择。这些混合式打褶/深层过滤器结合了深层过滤器的最佳特性(能够去除由于分级孔隙结构,稳定的介质配置而产生的一系列粒径)以及褶式过滤器的优点(高表面积可改善流速,降低压降和更长的在线时间) 

一定牛彩票注册的目的:

浆料应含有可控颗粒尺寸范围内的磨料组分,以获得用于光刻的非常平滑和正常的晶圆表面
去除微粒和附聚物,同时留下磨料组分
客户目标:减少划痕,提高产量
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